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1-7月北京市一般公共预算收入完成4448.2亿元，增长6.4%_我的网站

一袋女王

A | 　　讯北京市财政局8月24日发布北京市2026年1-7月财政收支情况。【TechWeb】知名半导体分析机构 SemiAnalysis 发布了对华为麒麟 9030 芯片的拆解报告。报告显示，这颗由中芯国际（SMIC）代工的芯片，其最小金属间距（metal pitch）达到 32.5nm，比 Intel 最新的 18A 工艺 Panther Lake 的 36nm 还要大约 10%。更关键的是，这家中国晶圆厂是在无法获得最先进 EUV 光刻机的情况下，通过 DUV 多重 patterning 和设计-工艺协同优化（DTCO）达到这一密度水平。一颗“金属间距比 Intel 18A 更小”的中国芯片 SemiAnalysis 的拆解指出，麒麟 9030 采用 SMIC 的 N+3 工艺（第三代 7nm 级节点），其 M0 局部金属层间距为 32.5nm，而 Intel 18A 的 M0 间距为 36nm。　　一般公共预算收入情况　　在国家实施更加积极有为宏观政策、首都经济运行稳中有进、产业结构向新向优发展的带动下，1-7月，全市一般公共预算收入完成4448.2亿元，增长6.4%；完成年度预算的64.0%，超时间进度5.7个百分点。税收收入占比89.6%，财政收入质量继续保持全国前列。　　一般公共预算支出情况　　落实积极财政政策要求，加强各类资金资源统筹，持续优化财政支出结构，强化对重大战略任务和基本民生的财力保障。1-7月，全市一般公共预算支出完成5172.3亿元，增长1.7%；完成年度预算的60.1%，超时间进度1.8个百分点。　　从主要支出领域看：教育支出763.6亿元，增长3.2%，主要是落实学前一年幼儿园免费政策，适应学龄人口趋势变化，支持中小学扩学位建设、市属高校提质扩容等。这意味着在最细金属线宽这一指标上，SMIC N+3 已比 Intel 最新一代逻辑节点更“紧凑”。科技支出502.7亿元，增长31.2%，主要是聚焦国际科技创新中心建设和落实教育科技人才一体发展战略，加大基础研究、重点领域科研攻关、人才高地建设等投入。社会保障和就业支出880.6亿元，增长5.3%，主要是落实就业优先战略，支持完善多层次的社会保障体系，保障养老、困难群众等补助发放。不过，报告也强调，金属间距只是衡量制程能力的指标之一，并不能代表整体工艺水平。SMIC N+3 的晶体管密度约 113.4 MTr/mm²，略高于 TSMC N6 的 107.7 MTr/mm²，但仍明显落后于 Intel 18A 的高密度库。

B | 没有 EUV，如何做到更密金属层？在 EUV 光刻机被出口管制限制的背景下，SMIC N+3 并没有“等 EUV 可用”才开始推进先进制程。SemiAnalysis 的分析显示： SMIC 通过“DUV 浸没式 + 自对准四重图形（SAQP）”等高复杂度工艺，实现与 TSMC N6 相当的逻辑密度，但代价是工序更多、成本更高、控制难度更大。报告明确提到，即便没有 EUV，SMIC 仍达到甚至超过了一些使用 EUV 的成熟节点（如 TSMC N6）的密度水平。城乡社区支出605.6亿元，增长1.3%，重点支持高速公路、轨道交通等重大工程建设，保障多层住宅加装电梯、垃圾分类工作开展。这回答了 SemiAnalysis 提出的那个关键问题：在 EUV 不可得的前提下，中国芯片制造到底走到了哪一步？——至少从金属间距和局部密度看，它已经逼近甚至某些指标上“咬住”了最新一代制程。住房保障支出160.5亿元，增长18.6%，主要是做好保障性住房供给，持续推进核心区平房申请式退租、老旧小区综合整治等居住类城市更新项目。版权申明：凡注有“”或电头为“”的稿件，均为独家版权所有，未经许可不得转载或镜像；授权转载必须注明来源为“”，并保留“”的电头。金属更密 ≠ 整体领先 SemiAnalysis 同时强调，“金属间距更小”的标题很抓眼球，但并不等同于工艺整体领先：在晶体管密度、性能、功耗等综合指标上，SMIC N+3 仍落后于 Intel 18A、TSMC N3P 等最先进节点。。高密度是通过更复杂的 DUV 多重图形、更严苛的设计规则和工艺控制“换”来的，这在良率和成本上带来额外挑战。

C | 报告指出，麒麟 9030 的整体性能大致相当于三年前的 Android 旗舰 SoC，与当前苹果、高通、联发科、三星的最新旗舰仍有明显差距。对先进制程竞争格局的启示这次拆解再次说明，先进半导体竞争比“有没有 EUV”的简单二元判断更复杂：在没有 EUV 的条件下，SMIC 通过 DTCO、SAQP 等手段，仍然把金属层密度推进到接近甚至部分指标优于 Intel 18A 的水平。这意味着出口管制改变了问题的难度，但并未完全冻结中国先进制程的演进路径。同时，从性能、功耗、良率等多维度看，SMIC 与全球最领先工艺之间仍有明显差距，中国在整体生态、EDA、材料与设备等方面仍面临“追赶之路”。